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IGBT及其他功率模塊
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SDH8596ES
內(nèi)置高壓MOS管的高精度原邊控制開關(guān)電源

SDH8596ES是內(nèi)置高壓MOS管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源(PSR),采用PFM/PWM調(diào)制技術(shù),提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環(huán)路,具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。并且集成高壓啟動,可以省去外圍的啟動電阻。

SDH8596ES在重載和中載負載時,工作于準諧振模式,得到更高的效率設(shè)計和EMI設(shè)計。

SDH8596ES適用18W輸出功率。


主要特點
  • 原邊控制模式

  • 高精度恒流恒壓控制

  • 自調(diào)節(jié)PFM/PWM多工作模式

  • 可調(diào)節(jié)輸出電壓電流

  • 可調(diào)節(jié)線損補償量

  • 內(nèi)置650V MOSFET

  • 內(nèi)置高壓啟動

  • 滿足75mW待機標準

  • 前沿消隱

  • 無需補償電容

  • 過溫保護

  • VCC過壓保護

  • 輸出過壓保護

  • 欠壓鎖定

  • 逐周期限流

  • 輸出短路保護

  • 過流保護

  • 最大導(dǎo)通時間保護


產(chǎn)品規(guī)格分類
產(chǎn)品名稱 封裝形式 打印名稱 環(huán)保等級 包裝 備注
SDH8596ES SOP-8-225-1.27 SDH8596E 無鹵 料管
SDH8596ESTR SOP-8-225-1.27 SDH8596E 無鹵 編帶
內(nèi)部框圖

SDH8596ES 中文 (PS ).png

技術(shù)文檔
標題 類型 大小 (KB) 日期 下載最新中文版本
SDH8596ES PDF 263 2023-08-28 SDH8596ES 簡要版說明書
封裝外形圖
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